지식 냉간 등압 성형(CIP)은 왜 필요합니까? 망간 도핑 티탄산바륨의 밀도 95% 이상 달성
작성자 아바타

기술팀 · Kintek Press

업데이트됨 4 days ago

냉간 등압 성형(CIP)은 왜 필요합니까? 망간 도핑 티탄산바륨의 밀도 95% 이상 달성


냉간 등압 성형(CIP)은 망간 도핑 티탄산바륨의 초기 성형 후 필수적인 보정 단계 역할을 합니다. 단방향 압축은 기본적인 형상을 만들지만, 마찰로 인해 필연적으로 불균일한 밀도를 유발합니다. CIP는 소결 전에 구조를 균일하게 만들고 밀도를 최대화하기 위해 유체를 이용한 전방향 압력을 가합니다.

CIP의 주요 기능은 단방향 압축 중 몰드 마찰로 인한 밀도 기울기를 제거하는 것입니다. 이러한 균일성은 망간 도핑 티탄산바륨이 미세 균열 없이 상대 밀도 95%를 초과하도록 보장하는 유일한 방법입니다.

단방향 압축의 한계 해결

벽면 마찰 문제

표준 단방향 압축 중에는 세라믹 분말과 단단한 몰드 벽 사이에 기계적 마찰이 발생합니다.

이 마찰은 저항을 생성하여 압력이 재료를 통해 균등하게 전달되는 것을 방해합니다. 그 결과 밀도 기울기가 발생하며, 움직이는 펀치 근처의 재료가 중앙 또는 하단의 재료보다 훨씬 더 밀도가 높아집니다.

소결에 미치는 영향

밀도가 불균일한 그린 바디를 가열하면 차등 수축이 발생합니다.

밀도가 높은 영역은 다공성 영역보다 덜 수축하여 내부 응력을 유발합니다. 이는 뒤틀림, 변형 및 최종 망간 도핑 티탄산바륨 부품의 기계적 무결성을 파괴하는 미세 균열 형성을 초래합니다.

냉간 등압 성형이 이 문제를 해결하는 방법

균일한 전방향 압력

CIP는 단단한 기계식 피스톤 대신 유체 매체를 사용하여 압력을 전달합니다.

이를 통해 그린 바디가 동시에 모든 방향에서 균일하게 압축됩니다. 이 등방성 압력은 초기 단방향 압축 과정으로 인해 남은 밀도 변화를 효과적으로 상쇄합니다.

상대 밀도 최대화

망간 도핑 티탄산바륨의 경우, 높은 최종 밀도를 달성하는 것이 성능에 중요합니다.

CIP는 분말 입자 사이의 간격을 더욱 압축하여 그린 바디의 전반적인 밀도를 크게 증가시킵니다. 이러한 준비는 소결 후 재료가 상대 밀도 95%를 초과하도록 하는 데 필수적입니다.

절충안 이해

공정 복잡성 및 비용

CIP는 2차 배치 공정으로, 제조 워크플로우에 별도의 단계를 추가합니다.

이는 생산 시간을 늘리고 특수 고압 장비(종종 200-300 MPa 이상에서 작동)를 필요로 하므로 단순 단방향 압축에 비해 부품당 전체 비용이 상승합니다.

치수 정밀도

CIP는 내부 구조를 개선하지만, 단단한 다이 대신 유연한 몰드(백)를 사용합니다.

이는 때때로 단단한 단방향 다이에 비해 외부 치수 제어가 덜 정밀할 수 있습니다. 제조업체는 엄격한 기하학적 공차를 달성하기 위해 소결된 부품에 추가적인 가공을 수행해야 하는 경우가 많습니다.

목표에 맞는 올바른 선택

특정 세라믹 응용 분야에 CIP의 추가 단계가 정당화되는지 여부를 결정하려면 다음을 고려하십시오.

  • 구조적 무결성 및 성능이 주요 초점인 경우: 밀도 기울기를 제거하기 위해 CIP를 사용해야 하며, 부품이 미세 균열 없이 95% 이상의 밀도에 도달하도록 보장해야 합니다.
  • 가공 없이 기하학적 정밀도가 주요 초점인 경우: CIP는 유연한 툴링이 단단한 단방향 다이와 달리 약간의 치수 변동을 허용하므로 어려움을 겪을 수 있습니다.

망간 도핑 티탄산바륨의 경우, CIP는 깨지기 쉬운 불균일한 압축물을 견고하고 고밀도의 세라믹으로 바꾸는 결정적인 요소입니다.

요약 표:

특징 단방향 압축 냉간 등압 성형 (CIP)
압력 방향 단방향 (수직) 등방성 (전방향)
밀도 분포 불균일 (기울기) 균일
벽면 마찰 높음 (단단한 몰드) 없음 (유체 매체)
최종 상대 밀도 낮음 / 불균일 95% 이상 (소결 후)
주요 위험 뒤틀림 및 미세 균열 높은 공정 비용

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참고문헌

  1. Yūki Ichikawa, Masaru Miyayama. Polarization degradation and oxygen-vacancy rearrangement in Mn-doped BaTiO<sub>3</sub> ferroelectrics ceramics. DOI: 10.2109/jcersj2.122.373

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